Art

J-GLOBAL ID：202002230567367244   Reference number：20A2237904

Chemical pressure effect for electron-doped FeSe with electric double-layer transistors

電気二重層トランジスタを用いて電子ドープしたFeSeにおける化学圧力効果

Author (5)： SHIKAMA NAOKI (東大 大学院) ,  SAKISHITA YUKI (東大 大学院) ,  NABESHIMA FUYUKI (東大 大学院) ,  UENO KAZUNORI (東大 大学院) ,  MAEDA ATSUTAKA (東大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.13p-B408-11  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： phase diagram ,  Superconductivity ,  thin film ,  *selenium ,  Iron ,  Tellurium ,  *doping ,  chalcogenide ,  strontium titanate ,  Fermi surface ,  *pressure effect ,  superconductor ,  intercalation ,  superconducting transition temperature
Semi thesaurus term： *電気二重層トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Properties of metallic superconductors  (BM04022R)

Terms in the title (5)： 電気二重層トランジスタ ,  電子 ,  ドープ ,  化学 ,  圧力効果