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J-GLOBAL ID：202002232101106289   Reference number：20A0910380

Highly Area-Efficient Low-Power SRAM Cell with 2 Transistors and 2 Resistors

2トランジスタと2抵抗器を持つ高面積効率低電力SRAMセル【JST・京大機械翻訳】

Author (10)： Li Jiayi (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Zhou Peng (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Li Jingyu (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Ding Yi (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Liu Chunsen (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Hou Xiang (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Chen Huawei (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Xiong Yan (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Zhang David Wei (Fudan University,State Key Laboratory of ASIC and System,hanghai,China) ,  Chai Yang (The Hong Kong Polytechnic University,Department of Applied Physics,Hong Kong)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： IEDM  Page： 23.3.1-23.3.4  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We demonstrate a 2-transistor...

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Thesaurus term： noise (signal) ,  *transistor ,  memory element ,  *resistor ,  two dimension ,  channel ,  *SRAM ,  RAM ,  normalization
Semi thesaurus term： 供給電圧 ,  面積効率 ,  *低電力化 ,  低電力エレクトロニクス ,  読出し ,  チャンネル材 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (6)： トランジスタ ,  抵抗器 ,  面積効率 ,  低電力 ,  SRAM ,  セル