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J-GLOBAL ID：202002235254866864   Reference number：20A1235919

Four-terminal polycrystalline Ge_1-xSn_x thin-film transistors using copper-induced crystallization on glass substrates and their application to enhancement/depletion inverters

ガラス基板上への銅誘起結晶化を用いた四端子多結晶Ge_1-xSn_x薄膜トランジスタとその増進/空乏インバータへの応用

Author (2)： Miyazaki Ryo (Tohoku Gakuin University, Tagajo, Miyagi 985-8537, Japan) ,  Hara Akito (Tohoku Gakuin University, Tagajo, Miyagi 985-8537, Japan)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 59  Issue： 5  Page： 051008 (8pp)  Publication year： May. 2020 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： substrate(plate) ,  electric apparatus and parts ,  crystallization ,  four-terminal circuit ,  polycrystal ,  *germanium ,  *tin ,  *doping ,  *thin film transistor ,  channel ,  *inverter ,  gate(semiconductor) ,  source ,  drain(semiconductor) ,  copper ,  aluminum ,  metallization(IC) ,  silicon dioxide ,  hafnium oxide ,  electric resistance ,  ratio ,  carrier mobility ,  voltage ,  mode ,  depletion layer
Semi thesaurus term： glass substrate ,  metal induced crystallization ,  E/D型 ,  hafnium dioxide ,  parasitic resistance ,  on-off ratio ,  field effect mobility ,  threshold voltage ,  enhancement-mode

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ガラス基板 ,  銅 ,  誘起 ,  結晶化 ,  多結晶 ,  薄膜トランジスタ ,  インバータ ,  応用