Art

J-GLOBAL ID：202002235923677953   Reference number：20A0993396

Surface structure determination of Si₄O₅N₃ / 6H-SiC (0001)-(√<span style=text-decoration:overline>3</span> × √<span style=text-decoration:overline>3</span>) R30°surface by data analysis with Total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD)

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)実験データ解析によるSi₄O₅N₃/6H-SiC(0001)-(√<span style=text-decoration:overline>3</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>)R30°表面構造決定

Author (6)： TANAKA KAZUYUKI (鳥取大 大学院) ,  OIE SHOTARO (九大 大学院) ,  MOCHIZUKI IZUMI (KEK 物構研) ,  TANAKA SATORU (九大 大学院) ,  HYODO TOSHIO (KEK 物構研) ,  HOSHI TAKEO (鳥取大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 75  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.19aB42-8  Publication year： Mar. 23, 2020 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： particle diffraction ,  *surface structure ,  *rocking curve ,  arrangement ,  drug resistance factor ,  *low energy electron diffraction ,  potential ,  silicon carbide
Semi thesaurus term： *6H-SiC ,  LEED ,  R Factors ,  atomic layer ,  *atomic configuration ,  scattering potential ,  *reflection high energy positron diffraction

JST classification (2)： Channelling,blocking,energy loss of particles  (BK16100J) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (5)： 反射高速陽電子回折 ,  実験 ,  データ解析 ,  6H-SiC ,  表面構造