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J-GLOBAL ID：202002235995796172   Reference number：20A0993335

Transport properties of quantum dots fabricated by using tetralayer graphene/hexagonal boron nitride heterostructures

4層グラフェン/hBNヘテロ構造を用いた量子ドットの電子輸送特性

Author (7)： ITO HIROHITO (日本大 工) ,  KATO TAKU (日本大 工) ,  IWASAKI TAKUYA (物質・材料研究機構) ,  WATANABE KENJI (物質・材料研究機構) ,  TANIGUCHI TAKASHI (物質・材料研究機構) ,  MORIYAMA SATOSHI (物質・材料研究機構) ,  HATANO TSUYOSHI (日本大 工)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 75  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.19aA33-2  Publication year： Mar. 23, 2020 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *graphene ,  device structure ,  quantum dot ,  transport phenomenon ,  van der Waals force ,  conductive property ,  *electron correlation ,  dry etching ,  *boron nitride
Semi thesaurus term： *hetero-structure ,  *electrical conductivity ,  *electron transport

JST classification (3)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： 4層 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  量子ドット ,  電子 ,  輸送特性