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J-GLOBAL ID：202002237106948580   Reference number：20A2754981

Core-level shifts in x-ray photoelectron spectroscopy of arsenic defects in silicon crystal: A first-principles study

シリコン結晶中のヒ素欠陥のX線光電子分光法における内殻準位シフト:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Yamauchi Jun (Faculty of Science and Technology, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama-shi, Kanagawa 223-8522, Japan) ,  Yoshimoto Yoshihide (Department of Computer Science, Graduate School of Information Science and Technology, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, Japan) ,  Suwa Yuji (Lumada Data Science Lab., Research Group, Hitachi, Ltd., Higashi-koigakubo 1-280, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 10  Issue： 11  Page： 115301-115301-8  Publication year： 2020 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We systematically investigated...

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Thesaurus term： binding energy ,  positive hole ,  *silicon ,  *arsenic ,  approximation method ,  valence ,  negative electric charge ,  *X-ray photoelectron spectroscopy ,  *core level ,  band gap ,  ab initio calculation ,  pseudopotential ,  charge state ,  *Crystalline silicon
Semi thesaurus term： 形成エネルギー ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (8)： シリコン結晶 ,  ヒ素 ,  欠陥 ,  X線光電子分光法 ,  内殻準位 ,  シフト ,  第一原理 ,  研究