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J-GLOBAL ID：202002238044233834   Reference number：20A1037379

Near infrared single-photon imaging based on compressive sensing with a sinusoidally gated InGaAs/InP single-photon avalanche diode

正弦波ゲートInGaAs/InP単一光子アバランシェダイオードを用いた圧縮センシングに基づく近赤外単一光子イメージング【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Hagihara H. (Nihon Univ. (Japan)) ,  Namekata N. (Nihon Univ. (Japan)) ,  Yokota K. (Nihon Univ. (Japan)) ,  Inoue S. (Nihon Univ. (Japan))
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 11295  Page： 112950R-6  Publication year： 2020 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We report on the compressive n...

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Thesaurus term： *avalanche diode ,  *photon ,  *sine wave ,  *image processing ,  pixel ,  *indium phosphide ,  *near infrared radiation ,  two dimension ,  transparent material ,  *indium gallium arsenide ,  *single photon ,  single-photon detector ,  *compressed sensing
Semi thesaurus term： *単一光子アバランシェダイオード , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Photometry and photodetectors in general  (BD07031F)

Terms in the title (9)： 正弦波 ,  ゲート ,  InGaAs ,  InP ,  単一光子アバランシェダイオード ,  圧縮センシング ,  近赤外 ,  単一光子 ,  イメージング