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J-GLOBAL ID：202002239232422666   Reference number：20A1191505

Crystal structures and electronic properties of Sn₃N₄ polymorphs synthesized via high-pressure nitridation of tin

スズの高圧窒化により合成したSn_3N_4多形の結晶構造と電子特性【JST・京大機械翻訳】

Author (7)： Niwa Ken (Department of Materials Physics, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan. [e-mail]) ,  Inagaki Tomoya ,  Ohsuna Tetsu ,  Liu Zheng ,  Sasaki Takuya ,  Gaida Nico Alexander ,  Hasegawa Masashi
Material： CrystEngComm
Volume： 22  Issue： 20  Page： 3531-3538  Publication year： 2020 
JST Material Number： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The crystal structures, compre...

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Thesaurus term： crystallization ,  *crystal structure ,  *high pressure ,  synchrotron ,  spinel ,  phase transition ,  semiconductor ,  *tin ,  *nitriding ,  nitride ,  laser heating ,  rhombic system ,  monoclinic system ,  transmission electron microscope ,  powder X-ray diffraction ,  *modification

JST classification (2)： Solid phase transitions  (BL04020G) ,  Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y)

Terms in the title (6)： スズ ,  高圧 ,  窒化 ,  多形 ,  結晶構造 ,  電子