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J-GLOBAL ID：202002239792297225   Reference number：20A1580377

Influence of Interlayer Stacking on Gate-Induced Carrier Accumulation in Bilayer MoS₂

二層MoS_2におけるゲート誘起キャリア蓄積に及ぼす層間積層の影響【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Maruyama Mina (Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan) ,  Nagashio Kosuke (Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Okada Susumu (Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Japan)
Material： ACS Applied Electronic Materials
Volume： 2  Issue： 5  Page： 1352-1357  Publication year： 2020 
JST Material Number： W5669A  ISSN： 2637-6113  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Atomic layer materials with se...

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Thesaurus term： electric field ,  electronic structure ,  semiconductor ,  FET ,  bilayer ,  energy calculation ,  density functional method ,  band-offset ,  *cathode
Semi thesaurus term： 二重ゲート ,  二層 ,  電子ドーピング ,  原子層 ,  *キャリア蓄積 ,  層間相互作用 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (6)： MoS₂ ,  FET ,  electronic structure ,  electron doping ,  interlayer interaction ,  DFT

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 二層 ,  ゲート ,  誘起 ,  キャリア蓄積