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J-GLOBAL ID：202002240898149861   Reference number：20A2610676

Growth of InN nanopillar-crystals on steering-crystal-formed multi-crystalline Si substrates

ステアリング結晶を形成した多結晶Si基板上へのInNナノ柱状結晶の成長

Author (7)： XUE Houyao (秋田大 大学院理工学研究科) ,  SHIRAISHI KOKI (秋田大 大学院理工学研究科) ,  IIZUKA YOSUKE (秋田大 大学院理工学研究科) ,  TANIGUCHI SHINGO (秋田大 大学院理工学研究科) ,  SAITO SORA (秋田大 大学院理工学研究科) ,  SAITO TSUBASA (秋田大 大学院理工学研究科) ,  SATO YUICHI (秋田大 大学院理工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
Volume： 120  Issue： 217(CPM2020 11-21)  Page： 15-18 (WEB ONLY)  Publication year： Oct. 22, 2020 
JST Material Number： U2030A  ISSN： 2432-6380  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： polycrystal ,  wafer ,  indium nitride ,  columnar crystal ,  nano crystal ,  *MBE growth ,  semiconductor material ,  crystal orientation
Semi thesaurus term： silicon substrate

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (6)：

• V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, D.A. Kurdyukov, S.V. Ivanov, V.A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, J. Aderhold, J. Graul, A.V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, E.E. Haller, Band gap of hexagonal InN and InGaN alloys, Phys. Status Solidi (b), vol.234, no.3, pp.787-795, December 2002.
• A. Yamamoto, Md. R. Islam, T.-T. Kang and A. Hashimoto, Recent advances in InN-based solar cells: status and challenges in InGaN and InAlN solar cells, Phys. Stat. Sol. (c), vol.7, no.5, pp.1309-1316, May 2010.
• Y. Sato, S. Saito, K. Shiraishi, S. Taniguchi, Y. Izuka and T. Saito, Vertical alignment of InN- and GaN-based nanopillar crystals grown on a multicrystalline Si substrate, J. Cryst. Growth, vol.537, pp.125-603, May 2020.
• Y. Sato, A. Kurosaki, S. Sato, Low-temperature growth of GaN and InxGa1-xN films on glass substrates, J. Cryst. Growth, vol.189/190, pp.42-46, June 1998.
• H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda, Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer, Appl. Phys. Lett, vol.48, no.5, pp.353-355, December 1985.

Terms in the title (7)： ステアリング ,  結晶 ,  多結晶 ,  Si基板 ,  InN ,  柱状結晶 ,  成長