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J-GLOBAL ID：202002244365023483   Reference number：20A2238200

Theoretical study for the adsorption-desorption behavior at the step-edge of AlN(0001) surfaces during MOVPE growth

有機金属気相エピタキシー成長におけるAlN(0001)表面でのステップ端における吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

Author (5)： OKA TAKUMI (三重大 大学院) ,  AKIYAMA TOORU (三重大 大学院) ,  PRADIPTO A.-M. (三重大 大学院) ,  NAKAMURA KOJI (三重大 大学院) ,  ITO TOMONORI (三重大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.13p-PB1-25  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： epitaxy ,  *Adsorption ,  *desorption ,  *Aluminum ,  Gallium ,  *gas phase ,  *aluminum nitride ,  gallium nitride ,  *MOCVD ,  adsorption energy ,  surface morphology ,  ab initio calculation ,  hydrogen atom ,  nitrogen atom
Semi thesaurus term： 形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 有機金属気相エピタキシー ,  成長 ,  AlN ,  吸着 ,  脱離 ,  挙動 ,  理論