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J-GLOBAL ID：202002246126185473   Reference number：20A1745844

Carrier mobilities, thermoelectric properties, and band structures of type-I clathrates Ba₈M₁₆Ge₃₀ (M = Al, Ga, In)

Type-IクラスレートBa₈M₁₆Ge₃₀(M=Al,Ga,In)のキャリア移動度,熱電特性,バンド構造

Author (2)： Kishimoto Kengo (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Akai Koji (Faculty of Global and Science Studies, Yamaguchi University, 1677-1 Yoshida, Yamaguchi 753-8511, Japan)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 59  Issue： 8  Page： 081001 (11pp)  Publication year： Aug. 2020 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *clathrate compound ,  *barium compound ,  *germanium compound ,  *carrier mobility ,  *electrical characteristic ,  *band structure ,  carrier scattering ,  mechanism ,  substitutional atom ,  electron density ,  energy ,  performance index ,  carrier density
Semi thesaurus term： *clathrate compound ,  *thermoelectric characteristic ,  scattering mechanism ,  substitutional atom ,  band-gap energy ,  thermoelectric figure of merit

JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： クラス ,  レート ,  Ga ,  キャリア移動度 ,  熱電特性 ,  バンド構造