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J-GLOBAL ID：202002247331384770   Reference number：20A0819035

First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400°C thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology

傾斜SOT構造による400°C熱耐性の下での0.35ns書込速度と70熱安定性を持つフィールドフリーSOT-MRAMの最初の実証とその先進パターン化/SOTチャネル技術【JST・京大機械翻訳】

Author (25)： Honjo H. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Yoshiduka T. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Noguchi Y. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Yasuhira M. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Tamakoshi A. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Natsui M. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Ma Y. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Koike H. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Takahashi Y. (Tohoku Univ.,RIEC) ,  Furuya K. (Tohoku Univ.,RIEC) ,  Shen H. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Nguyen T. V. A. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Fukami S. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Sato H. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Ikeda S. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Hanyu T. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Ohno H. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Endoh T. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Watanabe T. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Nasuno T. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Zhang C. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Tanigawa T. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Miura S. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Inoue H. (Tohoku Univ.,CIES,Japan) ,  Niwa M. (Tohoku Univ.,CIES,Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： IEDM  Page： 28.5.1-28.5.4  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： For the first time, we demonst...

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Thesaurus term： channel ,  *pattern formation ,  heat resistance ,  nonvolatile memory ,  torque ,  smooth surface ,  contact resistance ,  thermal stability ,  external magnetic field ,  retention time ,  magnetic field
Semi thesaurus term： BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (8)： 熱耐性 ,  書込速度 ,  熱安定性 ,  フィールド ,  MRAM ,  実証 ,  パターン化 ,  チャネル