Art

J-GLOBAL ID：202002248782436093   Reference number：20A1333005

p-n接合を有するMoS₂/CuWO₄電極の光電気化学特性

Author (2)： UENO TAKUTO (山口東京理大) ,  IKEUE KEITA (山口東京理大)
Material： 触媒討論会講演予稿集(CD-ROM)
Volume： 125th  Page： ROMBUNNO.1P45  Publication year： Mar. 10, 2020 
JST Material Number： F1143B  ISSN： 2187-5928  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *PN junction ,  *molybdenum sulfide ,  electrode material ,  photoirradiation ,  oxygen evolution ,  anode ,  photoelectrode ,  voltammetry ,  *tungstate ,  *copper compound ,  *photoelectrochemical reaction ,  P-type semiconductor ,  X-ray diffraction ,  crystal structure ,  ultraviolet and visible absorption spectrum ,  current density ,  optical pumping ,  carrier recombination
Semi thesaurus term： visible light irradiation ,  photoanode ,  linear sweep voltammetry

JST classification (1)： Electrochemical reaction  (CB07050F)

Terms in the title (3)： p-n接合 ,  MoS2 ,  光電気化学特性