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J-GLOBAL ID：202002249683059320   Reference number：20A0910428

High-Density Multiple Bits-per-Cell 1T4R RRAM Array with Gradual SET/RESET and its Effectiveness for Deep Learning

段階的セット/リセットを持つ高密度多重ビットパーセル1T4R RRAMアレイとその深層学習に対する有効性【JST・京大機械翻訳】

Author (15)： Hsieh E.R. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Zheng X. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Nelson M. (Skywater Technology Foundry,MN,USA) ,  Le B.Q. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Wong H.-S.P. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Mitra S. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Wong S. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Giordano M. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Hodson B. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Levy A. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Osekowsky S.K. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Radway R.M. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Shih Y.C. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Wan W. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA) ,  Wu T. F. (Stanford University,Dept. of Electrical Engineering,CA,USA)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： IEDM  Page： 35.6.1-35.6.4  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We present the first demonstra...

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Thesaurus term： *learning ,  interchangeability ,  casting(metal) ,  durability ,  pulse ,  effectiveness ,  complementary metal oxide semiconductor
Semi thesaurus term： BEOL ,  高密度 ,  *ReRAM ,  深層学習 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (8)： 段階 ,  リセット ,  多重ビット ,  セル ,  RRAM ,  アレイ ,  深層学習 ,  有効性