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J-GLOBAL ID：202002251740284205   Reference number：20A2345816

Polarization engineering via InAlN/AlGaN heterostructures for demonstration of normally-off AlGaN channel field effect transistors

ノーマルオフAlGaNチャネル電界効果トランジスタの実証のためのInAlN/AlGaNヘテロ構造による分極工学【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Li Lei (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Yamaguchi Ryohei (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Wakejima Akio (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 117  Issue： 15  Page： 152108-152108-6  Publication year： 2020 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Normally-off AlGaN channel het...

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Thesaurus term： mobility (ratio) ,  high temperature ,  scattering ,  dielectric breakdown ,  *polarization (phenomenon) ,  polarized light ,  *FET ,  nitride ,  temperature dependence ,  Electronics ,  two dimensional electron gas ,  *hetero-structure ,  threshold voltage ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： HFET , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (8)： AlGaN ,  チャネル ,  電界効果トランジスタ ,  実証 ,  InAlN ,  ヘテロ構造 ,  分極 ,  工学