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J-GLOBAL ID：202002253746936784   Reference number：20A1336132

カルコパライト系化合物半導体CuInSe₂の結晶成長

Author (4)： NISHIMURA TAKUYA (岡山理大 院) ,  UEDA TOMOMI (岡山理大 院) ,  YONEDA MINORU (岡山理大 院) ,  KUBO TETSURO (岡山理大 院)
Material： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
Volume： 2019  Page： 112  Publication year： Jul. 21, 2019 
JST Material Number： L5917A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： diffraction ,  *compound semiconductor ,  *crystal growth ,  lattice defect ,  solar cell ,  single crystal ,  *semiconductor ,  quartz ,  ingot ,  polycrystal ,  monophase ,  carrier recombination ,  band gap
Semi thesaurus term： 薄膜太陽電池 ,  粉末X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (2)： 化合物半導体 ,  結晶成長