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J-GLOBAL ID：202002254301073403   Reference number：20A1235621

Improvement of organic field-effect transistor characteristics via oxidation treatment of Ag nano-ink electrode surfaces

Agナノインク電極表面の酸化処理による有機電界効果トランジスタ特性の改善

Author (5)： Minagawa Masahiro (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Minagawa Masahiro (Institute of Science and Technology, Niigata University, Niigata 950-2181, Japan) ,  Kobayashi Kanta (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Sone Shinnosuke (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Shinbo Kazunari (Institute of Science and Technology, Niigata University, Niigata 950-2181, Japan)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 59  Issue： SC  Page： SCCA03 (6pp)  Publication year： Feb. 2020 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ink ,  *silver ,  *surface ,  *treatment ,  *FET ,  electrical property ,  ultraviolet radiation ,  electric current ,  ionization potential ,  contact resistance ,  carrier injection
Semi thesaurus term： *nano-ink ,  *electrode surface ,  *oxidation treatment ,  *organic field-effect transistor ,  electrical property ,  ultraviolet radiation ,  drain current ,  ionization voltage ,  hole injection

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (2)： Octadecyltrichlorosilane ,  9,10-Diphenylanthracene

Terms in the title (5)： Ag ,  ナノインク ,  電極表面 ,  酸化処理 ,  有機電界効果トランジスタ