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J-GLOBAL ID：202002254564547799   Reference number：20A0886487

Bonding GaN on high thermal conductivity graphite composite with adequate interfacial thermal conductance for high power electronics applications

高パワーエレクトロニクス応用のための十分な界面熱コンダクタンスを有する高熱伝導性グラファイト複合材料上のGaNの結合【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Li Lei (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Fukui Aozora (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Wakejima Akio (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 116  Issue： 14  Page： 142105-142105-5  Publication year： 2020 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We demonstrate an efficient he...

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Thesaurus term： crack ,  *Graphite ,  *power electronics ,  electric power ,  silicon carbide ,  *gallium nitride ,  Thermal Diffusion ,  transistor ,  mixed construction ,  power transistor ,  *interface (surface) ,  Titanium ,  thermal conductivity ,  *conductance ,  diode

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Specific heat and thermal conduction in general  (BL05021E)

Terms in the title (8)： パワーエレクトロニクス ,  応用 ,  界面 ,  熱コンダクタンス ,  高熱伝導性 ,  グラファイト ,  複合材料 ,  GaN