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J-GLOBAL ID：202002258072831962   Reference number：20A0284188

High tunnel magnetoresistance based on 2D Dirac spin gapless semiconductor VCl₃

2D Diracスピンギャップレス半導体VCl_3に基づく高トンネル磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Feng Yulin (School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Wu Xuming (School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Gao Guoying (School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 116  Issue： 2  Page： 022402-022402-5  Publication year： 2020 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Future spintronic devices on t...

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Thesaurus term： spin polarization ,  ferromagnetism ,  chloride ,  monolayer ,  magnetic semiconductor ,  *semiconductor ,  monomolecular layer ,  ferromagnetic semiconductor ,  *two dimension
Semi thesaurus term： トンネル障壁 ,  スピン輸送 ,  *スピンギャップ ,  スピントロニクス素子 ,  ナノスケール ,  *トンネル磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Magnetoelectric devices  (NC03100X) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (4)： 2D ,  スピン ,  ギャップレス ,  トンネル磁気抵抗