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J-GLOBAL ID：202002259135528161   Reference number：20A2473440

Layer-exchange crystallization for low-temperature (~450 °C) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator

絶縁体上のn型引張歪Geの低温(λ=450°C)形成のための層交換結晶化【JST・京大機械翻訳】

Author (2)： Gao Hongmiao (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Sadoh Taizoh (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 117  Issue： 17  Page： 172102-172102-6  Publication year： 2020 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Layer-exchange crystallization...

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Thesaurus term： interface (surface) ,  *crystallization ,  annealing (heat treatment) ,  evaporation ,  *low temperature ,  thin film ,  Antimony ,  *Germanium ,  crystal orientation ,  Electronics ,  thin film growth ,  diffusion barrier ,  *insulator ,  photonics ,  high concentration ,  *tensile strain

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 絶縁体 ,  引張歪 ,  Ge ,  低温 ,  層 ,  結晶化