Art

J-GLOBAL ID：202002261567624923   Reference number：20A0914138

Advantage of GaN in Phase Shift Full Bridges

位相シフトフルブリッジにおけるGaNの利点【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Qi Feng (Transphorm Inc.,Goleta,CA,93117) ,  Wang Zhan (Transphorm Inc.,Goleta,CA,93117) ,  Wu Yifeng (Transphorm Inc.,Goleta,CA,93117) ,  Zuk Philip (Transphorm Inc.,Goleta,CA,93117)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： WiPDA  Page： 384-387  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： GaN FET and Si MOSFET have ver...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=20A0914138&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： *phase shift ,  resonance ,  converter ,  MOSFET ,  charger ,  *gallium nitride ,  resonance energy ,  voltage dependence
Semi thesaurus term： *フルブリッジコンバータ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (4)： 位相シフト ,  フルブリッジ ,  GaN ,  利点