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J-GLOBAL ID：202002263252628068   Reference number：20A0636886

3C-および4H-SiCの結晶欠陥挙動に関する分子動力学シミュレーション

Author (6)： IMAMURA YUSUKE (関西大 大学院理工学研究科) ,  SAITO KEN'ICHI (関西大 システム理工) ,  NISHIMURA KENJI (産業技術総合研) ,  SATO TOMOHIRO (関西大 システム理工) ,  TAKUMA MASANORI (関西大 システム理工) ,  TAKAHASHI YOSHIMASA (関西大 システム理工)
Material： 分子シミュレーション討論会講演要旨集  (Book of Abstracts. International Conference on Molecular Simulation)
Volume： 33rd  Page： 174  Publication year： Dec. 09, 2019 
JST Material Number： L1841A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *dislocation(crystal) ,  molecular dynamics ,  *Computer Simulation ,  nanoindentation ,  power transistor ,  single crystal ,  work hardened surface layer ,  *Molecular Dynamics Simulation ,  *lattice defect ,  *computer application ,  *utilization

Author keywords (4)： 分子動力学法 ,  SiC ,  転位 ,  ナノインデンテーション

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Computer simulation  (JE11000H)

Terms in the title (4)： 4H-SiC ,  結晶欠陥 ,  挙動 ,  分子動力学シミュレーション