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J-GLOBAL ID：202002265544119214   Reference number：20A2236918

Ga adatom behavior on GaN nonplanar facets during metalorganic vapor phase epitaxy

有機金属気相エピタキシー成長におけるGaN複合ファセット上での吸着Ga原子の振る舞い

Author (5)： SETA YUKI (三重大 大学院) ,  AKIYAMA TOORU (三重大 大学院) ,  PRADIPTO Abdul-Muizz (三重大 大学院) ,  NAKAMURA KOJI (三重大 大学院) ,  ITO TOMONORI (三重大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.12p-A307-4  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *adsorption ,  surface energy ,  *gallium ,  *gallium nitride ,  *facet ,  nonpolarity ,  *MOCVD ,  warming ,  nanostructure ,  adsorption energy ,  selective growth ,  carrier gas
Semi thesaurus term： 吸着サイト ,  エネルギー障壁 ,  半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 有機金属気相エピタキシー ,  成長 ,  GaN ,  ファセット ,  吸着 ,  Ga ,  原子