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J-GLOBAL ID：202002266847826671   Reference number：20A0874699

In-situ thermal assist recovery thanks to active silicide source on NMOS transistor in FD-SOI technology

FD-SOI技術におけるNMOSトランジスタ上の活性ケイ化物源に対するその場熱支援回復【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Galy Ph. (3IT, Universite de Sherbrooke,Canada,J1KOA5) ,  Lethiecq R. (STMicroelectronics,850 rue Jean Monnet, Crolles Cedex,France,F-38926) ,  Bawedin M. (Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： EUROSOI-ULIS  Page： 1-4  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Preliminary results are report...

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Thesaurus term： electric current ,  *transistor ,  temperature fluctuation ,  thermal resistance ,  *NMOS structure ,  *silicide ,  *MOSFET ,  complementary metal oxide semiconductor ,  simulation ,  three dimension ,  heat characteristic
Semi thesaurus term： 熱シミュレーション ,  TCAD ,  ゲート酸化膜 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (7)： SOI技術 ,  NMOS ,  トランジスタ ,  活性 ,  ケイ化物 ,  支援 ,  回復