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J-GLOBAL ID：202002267911237881   Reference number：20A2239551

Theoretical study for the effect of wet oxidants on the oxidation reactions at 4H-SiC/SiO₂ interface

4H-SiC/SiO₂界面での酸化反応におけるウェット酸化種の影響に関する理論的検討

Author (8)： SHIMIZU TSUNASHI (三重大 大学院) ,  AKIYAMA TOORU (三重大 大学院) ,  PRADIPTO Abdul Muizz (三重大 大学院) ,  NAKAMURA KOJI (三重大 大学院) ,  ITO TOMONORI (三重大 大学院) ,  KAGESHIMA HIROYUKI (島根大 大学院) ,  UEMATSU MASASHI (慶応大 理工) ,  SHIRAISHI KENJI (名大 未来研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.15p-A201-3  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *interface (surface) ,  electrical property ,  *silicon ,  oxide film ,  *silicon carbide ,  *silicon dioxide ,  carbon dioxide ,  stable structure ,  hydroxy group ,  exothermic reaction ,  insulating film ,  thermal oxidation ,  interface structure ,  wide band gap semiconductor ,  ab initio calculation ,  conversion coating film

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 4H-SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  酸化反応 ,  酸化 ,  理論