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J-GLOBAL ID：202002268153800492   Reference number：20A1567939

Hydrostatic Pressure Effect in Non-doping LaOBiSSe and Hole-doping La_1-xSr_xOBiS₂

ノンドーピングLaOBiSSeとホールドーピングLa_1-xSr_xOBiS₂の静水圧効果

Author (6)： KONDO Katsuo (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Masaya (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KASE Naoki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  GOUCHI Jun (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  UWATOKO Yoshiya (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MIYAKAWA Nobuaki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
Material： JPS Conference Proceedings (Web)
Volume： 30  Page： ROMBUNNO.011148 (WEB ONLY)  Publication year： Mar. 19, 2020 
JST Material Number： U1201A  ISSN： 2435-3892  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *doping ,  *lanthanum compound ,  *bismuth compound ,  *oxide ,  *sulfide (chalcogenide) ,  *selenide (chalcogenide) ,  *Strontium ,  *Hydrostatic Pressure ,  *electrical resistivity ,  semiconductor ,  room temperature ,  thermoelectromotive force ,  carrier ,  metal ,  charge carrier ,  hole doping ,  thermo-electric power
Semi thesaurus term： hole doping ,  thermoelectric power

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (3)： ドーピング ,  ホールドーピング ,  圧効果