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J-GLOBAL ID：202002271246304366   Reference number：20A0928129

Study on Inverse Piezoelectric Effect and Degradation Mechanism in GaN HEMT

GaNHEMTの逆圧電効果と劣化機構に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Author (7)： Xi Shanbin (中国電子科技集団公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半導体器件質量監督検験中心,石家庄 050051) ,  Pei Xuan (中国電子科技集団公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半導体器件質量監督検験中心,石家庄 050051) ,  Chi Lei (中国電子科技集団公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半導体器件質量監督検験中心,石家庄 050051) ,  Yin Lijing (中国電子科技集団公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半導体器件質量監督検験中心,石家庄 050051) ,  Gao Dongyang (中国電子科技集団公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半導体器件質量監督検験中心,石家庄 050051) ,  Peng Hao (中国電子科技集団公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半導体器件質量監督検験中心,石家庄 050051) ,  Huang Jie (中国電子科技集団公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半導体器件質量監督検験中心,石家庄 050051)
Material： Huanjing Jishu
Volume： 37  Issue： 6  Page： 50-55  Publication year： 2019 
JST Material Number： C3765A  ISSN： 1004-7204  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： *reliability(property) ,  HF ,  electric power application
Semi thesaurus term： 性能劣化 ,  前景 ,  高信頼性 ,  構造損傷 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (2)： 圧電効果 ,  研究