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J-GLOBAL ID：202002271306269344   Reference number：20A0784982

Memristor property of an amorphous Sn-Ga-O thin-film device deposited using mist chemical-vapor-deposition method

ミスト化学蒸着法を用いて蒸着した非晶質Sn-Ga-O薄膜デバイスのメモリスタ特性【JST・京大機械翻訳】

Author (7)： Takishita Yuta (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Kobayashi Masaki (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Hattori Kazuki (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Matsuda Tokiyoshi (High-Tech Research Center, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Sugisaki Sumio (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan) ,  Nakashima Yasuhiko (Division of Information Science, NAIST (Nara Institute of Science and Technology), Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Kimura Mutsumi (Faculty of Science and Technology, Ryukoku University, Otsu, Shiga 520-2194, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 10  Issue： 3  Page： 035112-035112-4  Publication year： 2020 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A memristor property of an amo...

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Thesaurus term： *amorphous state ,  switching ,  reproducibility ,  synapse ,  *chemical vapor deposition ,  *mist(pollutant) ,  indium ,  hysteresis
Semi thesaurus term： ReRAM ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ミスト ,  化学蒸着法 ,  蒸着 ,  非晶質 ,  Sn ,  Ga ,  薄膜デバイス ,  メモリスタ