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J-GLOBAL ID：202002274334122508   Reference number：20A0819981

Synaptic behavior of flexible IGZO TFTs with Al₂O₃ gate insulator by low temperature ALD

低温ALDによるAl_2O_3ゲート絶縁体を持つフレキシブルIGZO TFTのシナプス挙動【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Park Shinyoung (Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707) ,  Jang Jun Tae (Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707) ,  Choi Sung-Jin (Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707) ,  Kim Dong Myong (Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707) ,  Hwan Kim Dae (Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： NANO  Page： 517-520  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Flexible InGaZnO (IGZO) thin-f...

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Thesaurus term： thin film transistor ,  *gate dielectric film ,  pulse ,  ionization ,  polyethylene terephthalate ,  bending test(bending) ,  *low temperature ,  optimization ,  hydrogen ,  *synapse
Semi thesaurus term： 畳込みニューラルネットワーク ,  酸素空格子点 ,  閾値電圧 ,  機械的安定性 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (7)： 低温 ,  ALD ,  ゲート絶縁体 ,  IGZO ,  TFT ,  シナプス ,  挙動