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J-GLOBAL ID：202002277324845182   Reference number：20A1724438

Progress of performance improvement of power semiconductor devices and ICs

パワーデバイス・パワーICの高性能化技術動向

Author (22)： SAITO WATARU (九大) ,  ONISHI YASUHIKO (富士電機) ,  SHIRAISHI MASAKI (日立) ,  NISHIWAKI TATSUYA (東芝デバイス&ストレージ) ,  IWAMURO NORIYUKI (筑波大) ,  OI KOTA (富士電機) ,  ONODA MICHIHIRO (オンセミコンダクター会津) ,  KIMURA KEISUKE (トヨタ自動車) ,  SHIMIZU NAOHIRO (名古屋大) ,  SUGIURA KENJI (アイスモス・テクノロジー・ジャパン) ,  TSUKUDA MASANORI (九州工大) ,  NAKAMURA KATSUMITSU (三菱電機) ,  BANDO AKIRA (昭和電工) ,  HIRAYAMA TOMOHISA (京セラ) ,  MIYAZAWA TETSUYA (電力中研) ,  MIYOSHI TOMOYUKI (日立) ,  MORI TAKAHIRO (ルネサスエレクトロニクス) ,  YANO KOJI (山梨大) ,  YAMAZAKI MIYA (オリジン) ,  YAMASHITA YUSUKE (豊田中研) ,  YOSHIKAWA DAIKI (東芝デバイス&ストレージ) ,  YOSHINO MANABU (三菱電機)
Material： 電気学会技術報告
Issue： 1489  Page： 64P  Publication year： Jul. 22, 2020 
JST Material Number： S0378A  ISSN： 0919-9195  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor device ,  integrated circuit ,  silicon carbide ,  MOSFET ,  power transistor ,  gallium nitride ,  Schottky barrier diode ,  technological forecasting ,  diamond ,  device structure ,  gate(semiconductor) ,  reliability(property) ,  optimization ,  noise(signal)
Semi thesaurus term： *power device ,  power IC ,  *technical trend ,  performance enhancement ,  SiC ,  power MOSFET ,  GAN ,  Schottky barrier diode ,  trench gate

JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (322)：

• H. Fujii; S. Tokumitsu; T. Mori; T. Yamashita; T. Maruyama; T. Maruyama; Y. Maruyama; S. Nishimoto; H. Arie; S. Kubo; T. Ipposhi: ′′A 90nm bulk BiCDMOS platform technology with 15-80V LD-MOSFETs for automotive applications′′, Proc. of the ISPSD 2017, PP.73-176.
• L. Wei; U. Singh; J. M. Koo; J. Huihua: ′′A novel high performance medium-voltage DEnMOS in 40nm CMOS technology′′,Proc.of the ISPSD 2018, PP.292-294.
• B. S. Kumar; M. Paul; M. Shrivastava; H. Gossner: ′′Performance and reliability insights of drain extended FinFET devices for high voltage SoC applications′′, Proc. of the ISPSD 2018, PP.72-75.
• H. Fujii, S. Tokumitsu, T. Mori, T. Yamashita, T. Maruyama, T. Maruyama, Y. Maruyama, S. Nishimoto, H. Arie, S. Kubo, T. Ipposhi ′′A 90nm Bulk BiCDMOS Platform Technology with 15-80V LD-MOSFETs for Automotive Applications′′, ISPSD2017, pp.73-76, 2017
• B. S. Kumar, M. Paul, M. Shrivastava, H. Gossner ′′Performance and Reliability Insights of Drain Extended FinFET Devices for High Voltage SoC Applications′′, ISPSD2018, pp.72-75, 2018

Terms in the title (4)： パワーデバイス ,  パワーIC ,  高性能化 ,  技術動向