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J-GLOBAL ID：202002277708843626   Reference number：20A1235555

Study on the local barrier field variations for electron tunneling in field ionization at a step edge of W(112) with a micro-probe hole field ion microscope

マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡によるW(112)のステップエッジでの電界イオン化における電子トンネリングの局所障壁場変化に関する研究

Author (3)： Ohta Yasushi (Department of Applied Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Kobayashi Ataru (Department of Applied Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Nakayama Masaaki (Department of Applied Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka, 558-8585, Japan)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 59  Issue： 1  Page： 015004 (5pp)  Publication year： Jan. 2020 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *microprobe ,  *field ion microscope ,  Tungsten ,  surface steps ,  field ionization ,  *tunnel effect ,  *potential barrier ,  ion density ,  surface ,  characteristic ,  Adsorption ,  Helium ,  metal surface ,  emission characteristic ,  atomic adsorption ,  *electron tunneling effect
Semi thesaurus term： *electron tunneling ,  *tunnel barrier

JST classification (1)： Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Terms in the title (6)： 電界イオン顕微鏡 ,  エッジ ,  電界イオン化 ,  電子トンネリング ,  障壁 ,  研究