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J-GLOBAL ID：202002278568538972   Reference number：20A0680265

Characterization of 1 inch AlN Single Crystal Wafers Grown by PVT Method

物理気相輸送法成長1インチAlN単結晶とそのキャラクタリゼーション分析【JST・京大機械翻訳】

Author (7)： He Guangdong (上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品質特殊鋼冶金与制備国家重点実験室,上海市鋼鉄冶金新技術開発応用重点実験室,上海200044) ,  Wang Qikun (上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品質特殊鋼冶金与制備国家重点実験室,上海市鋼鉄冶金新技術開発応用重点実験室,上海200044) ,  Lei Dan (上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品質特殊鋼冶金与制備国家重点実験室,上海市鋼鉄冶金新技術開発応用重点実験室,上海200044) ,  Gong Jianchao (上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品質特殊鋼冶金与制備国家重点実験室,上海市鋼鉄冶金新技術開発応用重点実験室,上海200044) ,  Huang Jiali (上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品質特殊鋼冶金与制備国家重点実験室,上海市鋼鉄冶金新技術開発応用重点実験室,上海200044) ,  Fu Danyang (上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品質特殊鋼冶金与制備国家重点実験室,上海市鋼鉄冶金新技術開発応用重点実験室,上海200044) ,  Wu Liang (上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品質特殊鋼冶金与制備国家重点実験室,上海市鋼鉄冶金新技術開発応用重点実験室,上海200044)
Material： Rengong Jingti Xuebao  (Jinko Shotai Gakuho)
Volume： 48  Issue： 9  Page： 1604-1607  Publication year： 2019 
JST Material Number： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： Raman spectroscopy ,  nonequilibrium state ,  scanning electron microscope ,  absorption coefficient ,  transmissivity ,  quality ,  rocking curve ,  *single crystal ,  *aluminum nitride ,  X-ray diffraction ,  epitaxy ,  *vapor phase growth ,  dislocation density ,  growth stage ,  half-value width

JST classification (3)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Techniques and equipment of crystal growth  (BK13020B) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 物理 ,  気相輸送法 ,  成長 ,  インチ ,  AlN ,  単結晶 ,  キャラクタリゼーション ,  分析