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J-GLOBAL ID：202002280686028528   Reference number：20A1720276

Evaluating characteristics of strain sensor using inverse-magnetostrictive effect caused by forced vibration

強制振動による逆磁歪効果型ひずみセンサの特性評価

Author (3)： SORA DAISUKE (東北大学電気通信研究所) ,  HASHI SHUICHIRO (東北大学電気通信研究所) ,  ISHIYAMA KAZUSHI (東北大学電気通信研究所)
Material： 日本磁気学会論文特集号(Web)  (Transaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues) (Web))
Volume： 4  Issue： 1  Page： 41-45(J-STAGE)  Publication year： 2020 
JST Material Number： U1184A  ISSN： 2432-0471  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： forced oscillation ,  *magnetostriction ,  *sensor ,  infrastructure ,  Diagnosis ,  wafer ,  iron compound ,  silicide ,  boride ,  Molybdenum ,  metallic thin film ,  structure ,  cantilever beam ,  characteristic ,  resonance (vibration) ,  piezoelectric device ,  *strain sensor ,  *vibration sensor ,  equipment diagnosis ,  vibrating characteristic ,  mechanical resonance ,  Si wafer
Semi thesaurus term： infrastructure ,  silicon substrate ,  trilaminar structure ,  cantilever

Author keywords (10)： inverse-magnetostrictive effect ,  strain sensor ,  vibration sensor ,  forced vibration ,  magnetic thin film ,  inverse-magnetostrictive effect ,  strain sensor ,  vibration sensor ,  forced vibration ,  magnetic thin film

JST classification (1)： Piezoelectric devices  (NC03110I)

Reference (10)：

• 1) Kokudokoutsusyou: Douro no Roukyukataisaku no Honkaku-jisshi ni Kansuru Teigen (in Japanese) (2014).
• 2) M. Nakamura, K. En: Report of Obyashi Corporation Technical Research Institute, 76, 1 (2012).
• 3) T. Kuroda, H. Nishida, T. Ozaki, T. Hinoue, R. Akai: OMRON TECHNICS, 51.025JP, (2019).
• 4) Y. Kubo,S. Hashi,H. Yokoi,K. Arai,K. Ishiyama: IEEJ Trans. SM, 138, 4 (2018).
• 5) Shinkawa Electric Co. HP:https://www.shinkawaelectric.com/column/20110517.html (as of May. 17, 2011).

Terms in the title (4)： 強制振動 ,  逆磁歪 ,  ひずみセンサ ,  特性評価