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J-GLOBAL ID：202002281159550665   Reference number：20A0518950

表面分解法によるSiC(0001)基板上のグラフェン形成に関する研究

Author (4)： YAMADA YUYA (九州工大) ,  IMANAMI SATOSHI (九州工大) ,  NAITO MASAMICHI (九州工大) ,  IKARI TOMONORI (宇部工高専)
Material： 電気・情報関係学会九州支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (Record of Joint Conference of Electrical, Electronics and Information Engineers in Kyushu (CD-ROM))
Volume： 72nd  Page： ROMBUNNO.PS-20  Publication year： Sep. 19, 2019 
JST Material Number： L2200B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *graphene ,  substrate(plate) ,  ion irradiation ,  *silicon carbide ,  thin film growth ,  electron microscopy ,  crystal face ,  *carbon nanotube

JST classification (2)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (4)： 表面分解法 ,  SiC ,  グラフェン ,  研究