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J-GLOBAL ID：202002281473613510   Reference number：20A0000453

Individual tuning of ionization potential and electron affinity by composition control of amorphous Cd-In-Ga-O thin film

非晶質Cd-In-Ga-O薄膜の組成制御によるイオン化ポテンシャルと電子親和力の個別調整

Author (2)： KIM Minseok (University of Yamanashi) ,  YANAGI Hiroshi (University of Yamanashi)
Material： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (J Ceram Soc Jpn (Web))
Volume： 127  Issue： 11  Page： 785-787(J-STAGE)  Publication year： 2019 
JST Material Number： U0409A  ISSN： 1348-6535  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous semiconductor ,  *thin film ,  *compound semiconductor ,  cadmium compound ,  indium compound ,  gallium compound ,  N-type semiconductor ,  ionization potential ,  electron affinity ,  magnetron sputtering ,  HF ,  Photoelectron Spectroscopy ,  infrared spectroscopy ,  carrier density ,  carrier mobility ,  alignment ,  band structure ,  band alignment ,  *oxide semiconductor
Semi thesaurus term： CIGO半導体 ,  high frequency

Author keywords (4)： Amorphous oxide semiconductor ,  Band alignment ,  Ionization potential ,  Electron affinity

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (12)：

• 1) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature, 432, 488-492 (2004).
• 2) H. Hosono, J. Non-Cryst. Solids, 352, 851-858 (2006).
• 3) K. Morigaki, “Physics of Amorphous Semiconductors”, Imperial College Press, London, UK (1999) pp. 84-89.
• 4) T. Kamiya and H. Hosono, NPG Asia Mater., 2, 15-22 (2010).
• 5) M. Turcu, I. M. Kötschau and U. Rau, Appl. Phys. Lett., 91, 1391-1399 (2002).

Terms in the title (6)： 非晶質 ,  Ga ,  薄膜 ,  組成制御 ,  イオン化ポテンシャル ,  電子親和力