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J-GLOBAL ID：202002282256822810   Reference number：20A1262876

New Gate Driving Technique to Reduce Both EMI in User-Defined Frequency Band and Switching Loss in IGBTs

所望の周波数帯のEMIとスイッチング損失の両方を低減するIGBTのゲート駆動方法

Author (4)： MORIKAWA RYUZO (東大) ,  SAI TOORU (東大) ,  HATA KATSUHIRO (東大) ,  TAKAMIYA MAKOTO (東大)
Material： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
Volume： 2020  Page： ROMBUNNO.4-013  Publication year： Mar. 01, 2020 
JST Material Number： S0653B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： frequency band ,  electromagnetic compatibility (interference) ,  *IGBT ,  power electronics ,  gate circuit ,  *switching loss ,  switching
Semi thesaurus term： *EMI ,  *gating circuit

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 周波数帯 ,  EMI ,  スイッチング損失 ,  IGBT ,  ゲート