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J-GLOBAL ID：202002284749142192   Reference number：20A2489780

Electrical Characteristics of Gated-Anode Diode for Rectenna using Normally-Off GaN HEMT

ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性

Author (10)： TAKAHASHI HIDEMASA (名古屋大 大学院工学研究科) ,  ANDO YUJI (名古屋大 大学院工学研究科) ,  TSUCHIYA YOICHI (名古屋工大 大学院工学研究科) ,  WAKEJIMA AKIO (名古屋工大 大学院工学研究科) ,  HAYASHI HIROAKI (三菱電機 先端技総研) ,  YAGYU EIJI (三菱電機 先端技総研) ,  KITSUKAWA KOICHI (金沢工大) ,  SAKAI NAOKI (金沢工大) ,  ITO KENJI (金沢工大) ,  SUDA JUN (名古屋大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
Volume： 120  Issue： 182(WPT2020 19-25)  Page： 1-5 (WEB ONLY)  Publication year： Sep. 30, 2020 
JST Material Number： U2030A  ISSN： 2432-6380  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wireless power supply ,  HEMT ,  *antenna(electric) ,  device structure ,  electrical property ,  pressure resistance ,  characteristic ,  *diode
Semi thesaurus term： GaN HEMT ,  Rectenna ,  transfer characteristic

JST classification (3)： Power source circuit  (NC05060Q) ,  Antennas  (ND06000M) ,  Diodes  (NC03050R)

Reference (7)：

• 庄木祐樹,“ワイヤレス電力伝送の技術動向・課題と実用化に向けた取り組み、”信学技報, WPT2010-07, Jul. 2010.
• 篠原真毅“レクテナ技術のバッテリレス微小電力, 機器への応用,”信学技報, SPS2009-17, Mar. 2010.
• 高橋健介,“マイクロ波無線ユビキタス電源用 GaN ショットキーダイオードの開発,”信学技報, ED2009-158,pp.143-148,Nov.2009.
• K. Dang, A 5.8-GHz High-Power and High-Efficiency Rectifier Circuit with Lateral GaN Schottky Diode for Wireless Power Transfer, IEEE Trans. Power Electron., vol.35, no.3, pp.2247-2252, March 2020.
• Qi Zhou, “Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Hybrid-Anode-Diode with Optimized Barrier Thickness for Zero-Bias Microwave Mixer,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.67, no.3, March 2020.

Terms in the title (5)： GaN ,  HEMT ,  レクテナ ,  ダイオード ,  電気的特性