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J-GLOBAL ID：202002285052369533   Reference number：20A0265079

Unique resistive switching phenomena exhibiting both filament-type and interface-type switching in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAM cells

Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAMセルにおけるフィラメント型および界面型スイッチングを示すユニークな抵抗スイッチング現象【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Kanegami Naoki (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Nishi Yusuke (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 116  Issue： 1  Page： 013501-013501-4  Publication year： 2020 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The current-voltage characteri...

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Thesaurus term： laminate structure ,  current-voltage characteristic ,  thickness of strata ,  *Platinum ,  filament ,  switching ,  oxidation-reduction reaction ,  polycrystal ,  *interface (surface) ,  conducting filament ,  oxygen ion ,  amorphous structure ,  *resistance switching ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (9)： Ti ,  PT ,  ReRAM ,  セル ,  フィラメント ,  界面 ,  スイッチング ,  抵抗スイッチング ,  現象