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J-GLOBAL ID：202002287269933109   Reference number：20A1484316

Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor Using Hall Effect

Hall効果を用いた非晶質金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるキャリア移動度の解析【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Imanishi Kota (Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan) ,  Matsuda Tokiyoshi (High-Tech Research Center, Ryukoku University, Otsu, Japan) ,  Kimura Mutsumi (Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 41  Issue： 7  Page： 1025-1028  Publication year： 2020 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Carrier mobility in an amorpho...

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Thesaurus term： Hall mobility ,  *Hall effect ,  *carrier mobility ,  *transistor ,  *thin film transistor ,  *amorphous state ,  percolation
Semi thesaurus term： 電界効果移動度 ,  van der Pauw法 ,  ゲート電圧 ,  金属酸化物半導体 ,  チャネル層 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： Hall効果 ,  非晶質金属 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  解析