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J-GLOBAL ID：202002288243024951   Reference number：20A0415082

Molecular Engineering of Spintronics Phenomena Arising from Rashba Spin-Orbit Interaction

超低消費電力磁気メモリの開発最前線 ラシュバスピン軌道相互作用によって発現するスピントロニクス現象の分子エンジニアリング

Author (1)： ANDO KAZUYA (慶応大 理工)
Material： まぐね  (Magnetics Japan)
Volume： 15  Issue： 1  Page： 31-37  Publication year： Feb. 01, 2020 
JST Material Number： L5842A  ISSN： 1880-7208  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *spin-orbit interaction ,  effect ,  magnetic reluctance ,  spin current ,  magnetoresistance effect ,  monomolecular layer ,  consumed electric power ,  magnetic memory ,  *spintronics ,  logic element ,  engineering ,  magnetic semiconductor
Semi thesaurus term： spin-orbit coupling ,  *Rashba effect ,  self-assembled monolayer ,  ultra-low power ,  molecular engineering ,  *spintronic device

JST classification (3)： Memory units  (JC04060F) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X) ,  Magnetic properties of metals  (BM06040T)

Reference (34)：

• A. Manchon, H. C. Koo, J. Nitta, S. M. Frolov, and R. A. Duine: Nat. Mater., 14, 871 (2015).
• A. Soumyanarayanan, N. Reyren, A. Fert, and C. Panagopoulos: Nature, 539, 509 (2016).
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• I. M. Miron, K. Garello, G. Gaudin, P.-J. Zermatten, M. V. Costache, S. Auffret, S. Bandiera, B. Rodmacq, A. Schuhl, and P. Gambardella: Nature, 476, 189 (2011).

Terms in the title (9)： 低消費電力 ,  磁気メモリ ,  開発 ,  軌道相互作用 ,  発現 ,  スピントロニクス ,  現象 ,  分子 ,  エンジニアリング