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J-GLOBAL ID：202002291156952627   Reference number：20A0434045

New GaInAs/InAs/InP Composite Channels for mm-Wave Low-Noise InP HEMTs

ミリ波低雑音InP HEMT用の新しいGaInAs/InAs/InP複合チャネル【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Ruiz Diego C. (ETH Zurich,Millimiter-Wave Electronics,Zurich,Switzerland) ,  Saranovac Tamara (ETH Zurich,Millimiter-Wave Electronics,Zurich,Switzerland) ,  Han Daxin (ETH Zurich,Millimiter-Wave Electronics,Zurich,Switzerland) ,  Ostinelli Olivier (ETH Zurich,Millimiter-Wave Electronics,Zurich,Switzerland) ,  Bolognesi Colombo R. (ETH Zurich,Millimiter-Wave Electronics,Zurich,Switzerland)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： BCICTS  Page： 1-4  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： InP-based HEMTs with composite...

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Thesaurus term： cutoff frequency ,  noise characteristic ,  wide band ,  collisional ionization ,  *HEMT ,  *indium phosphide ,  noise figure ,  *indium arsenide ,  channel ,  HF ,  *EHF wave ,  conductance ,  two dimensional electron gas ,  carrier transport
Semi thesaurus term： *低雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Mobile communication  (ND08030H) ,  Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (7)： ミリ波 ,  低雑音 ,  InP ,  HEMT ,  GaInAs ,  InAs ,  チャネル