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J-GLOBAL ID：202003000771653808

炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor： 古庄 智明 ,  田中 貴規 ,  黒岩 丈晴 ,  宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  村山 健太
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学
Agent (2)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019508768
Patent number：6685469
Application date： Feb. 20, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板内側部(11)と、 前記基板内側部(11)を囲む基板外側部(12)と、を備える炭化珪素基板(10)であって、 前記基板内側部(11)の非ドーパント金属不純物濃度は1×1016cm-3以上であり、 前記基板外側部(12)のうち少なくとも表面側の領域は、非ドーパント金属不純物濃度が1×1016cm-3未満の基板表面領域である、 炭化珪素基板(10)。

IPC (7)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 25/20 ( 200 6.01) ,  C30B 19/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/208 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01)

FI (7)：

C30B 29/36 A ,  C30B 25/20 ,  C30B 19/04 ,  H01L 21/208 D ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭56-045897
  
• 炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-163874   Applicant：三井造船株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-109766   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人京都大学