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J-GLOBAL ID：202003001586073940

窒化物半導体装置の製造方法

Inventor： 大森 雅登 ,  加地 徹 ,  須田 淳 ,  ボコウスキ ミハウ スタニスワフ
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東海国立大学機構 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019049981
Publication number (International publication number)：2020155470
Application date： Mar. 18, 2019
Publication date： Sep. 24, 2020
Summary：

【課題】窒化物半導体においてp型領域を形成するための技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、窒化物半導体基板の一部にn型不純物を第1濃度で含んだn型領域を形成する工程を備える。窒化物半導体基板の露出面からn型領域以外の領域にp型不純物を導入する不純物導入工程を備える。特定領域に含まれるn型不純物の濃度は第1濃度よりも低い。特定領域はn型領域に接している。n型領域中のn型不純物を拡散させずにp型不純物を選択的に特定領域内に熱拡散させる拡散工程を備える。拡散工程では、n型領域と特定領域との境界面でp型不純物の拡散を停止させることでp型不純物をn型領域の内部へ拡散させない。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板の一部にn型不純物を第1濃度で含んだn型領域を形成する工程と、 前記窒化物半導体基板の露出面から前記n型領域以外の特定領域にp型不純物を導入する不純物導入工程であって、 前記特定領域に含まれるn型不純物の濃度は前記第1濃度よりも低く、前記特定領域は前記n型領域に接している、前記不純物導入工程と、 前記n型領域中のn型不純物を拡散させずに前記p型不純物を選択的に前記特定領域内に熱拡散させる拡散工程と、 を備え、 前記拡散工程では、前記n型領域と前記特定領域との境界面で前記p型不純物の拡散を停止させることで前記p型不純物を前記n型領域の内部へ拡散させない、窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/223 ,  H01L 21/225 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/20

FI (10)：

H01L29/78 658A ,  H01L21/265 601A ,  H01L21/265 601Z ,  H01L21/223 C ,  H01L21/225 C ,  H01L21/225 N ,  H01L21/265 F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 658E