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J-GLOBAL ID：202003001905410172

二酸化炭素還元用電極及びその製造方法

Inventor： 木田 徹也 ,  キタイン アルマンド ,  塚越 範彦 ,  笹原 潤
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学 ,  本田技研工業株式会社
Agent (6)： 千葉 剛宏 ,  宮寺 利幸 ,  千馬 隆之 ,  仲宗根 康晴 ,  坂井 志郎 ,  関口 亨祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019084050
Publication number (International publication number)：2020180338
Application date： Apr. 25, 2019
Publication date： Nov. 05, 2020
Summary：

【課題】目的生成物の収率が良好となる二酸化炭素還元用電極を、低コストで得る。【解決手段】二酸化炭素還元用電極30は、導電体からなる基材40と、該基材40に形成された還元用薄膜42とを備える。この還元用薄膜42は、窒素がドープされ且つ銅を担持した酸化グラフェン(Cu-N-GO)からなり、二酸化炭素を還元する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

導電体からなる基材と、前記基材に形成されて二酸化炭素を還元する還元用薄膜とを備える二酸化炭素還元用電極において、 前記還元用薄膜が、窒素がドープされ且つ銅を担持した酸化グラフェンからなる二酸化炭素還元用電極。

IPC (5)：

C25B 11/06 ,  C01B 32/198 ,  B01J 35/04 ,  B01J 37/04 ,  B01J 27/24

FI (5)：

C25B11/06 A ,  C01B32/198 ,  B01J35/04 331A ,  B01J37/04 102 ,  B01J27/24 A

F-Term (50)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AD17 ,  4G146AD23 ,  4G146AD40 ,  4G146CB07 ,  4G146CB10 ,  4G146CB19 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA08A ,  4G169BA17 ,  4G169BA21A ,  4G169BA22A ,  4G169BA27A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04C ,  4G169BC31A ,  4G169BD06A ,  4G169BE01A ,  4G169BE02A ,  4G169BE08A ,  4G169BE14A ,  4G169BE21A ,  4G169CA08 ,  4G169CA20 ,  4G169CB02 ,  4G169DA06 ,  4G169EA02X ,  4G169EA08 ,  4G169EB11 ,  4G169ED10 ,  4G169EE01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB04 ,  4G169FB57 ,  4G169FB71 ,  4G169FC02 ,  4K011AA10 ,  4K011AA20 ,  4K011AA25 ,  4K011AA68 ,  4K011BA03 ,  4K011BA06