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J-GLOBAL ID:202003003544314826

多層構造体および多層構造体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 伊東 秀明 ,  蜂谷 浩久
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2019523994
Patent number:6700492
Application date: Jun. 08, 2018
Claim (excerpt):
【請求項1】 Ti以外の金属元素Aを含有し、かつ、導電性を有する導電部と、 前記導電部の上に配置され、前記金属元素Aを1.0原子%以上含有する酸化チタン層と、を有し、 前記金属元素Aが、Al、Ga、In、Sn、Pb、Bi、V、Cr、Mn、Fe、Co、Zn、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Si、および、Sbからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、 前記酸化チタン層中のアナターゼ型酸化チタンの割合が、12.2%以上であり、 更に、金属製の基材、セラミック製の基材、および、樹脂製の基材からなる群から選ばれる少なくとも1種の基材を有し、前記基材の上に前記導電部が配置される、多層構造体。
IPC (22):
B32B 9/00 ( 200 6.01) ,  B01J 35/02 ( 200 6.01) ,  B01J 37/34 ( 200 6.01) ,  B01J 21/06 ( 200 6.01) ,  B01J 23/06 ( 200 6.01) ,  B01J 23/08 ( 200 6.01) ,  B01J 23/14 ( 200 6.01) ,  B01J 23/18 ( 200 6.01) ,  B01J 23/20 ( 200 6.01) ,  B01J 23/22 ( 200 6.01) ,  B01J 23/26 ( 200 6.01) ,  B01J 23/28 ( 200 6.01) ,  B01J 23/30 ( 200 6.01) ,  B01J 23/34 ( 200 6.01) ,  B01J 23/44 ( 200 6.01) ,  B01J 23/46 ( 200 6.01) ,  B01J 23/50 ( 200 6.01) ,  B01J 23/72 ( 200 6.01) ,  B01J 23/745 ( 200 6.01) ,  B01J 23/75 ( 200 6.01) ,  B01J 23/755 ( 200 6.01) ,  C01G 23/053 ( 200 6.01)
FI (23):
B32B 9/00 A ,  B01J 35/02 J ,  B01J 37/34 ,  B01J 21/06 M ,  B01J 23/06 M ,  B01J 23/08 M ,  B01J 23/14 M ,  B01J 23/18 M ,  B01J 23/20 M ,  B01J 23/22 M ,  B01J 23/26 M ,  B01J 23/28 M ,  B01J 23/30 M ,  B01J 23/34 M ,  B01J 23/44 M ,  B01J 23/46 301 M ,  B01J 23/46 311 M ,  B01J 23/50 M ,  B01J 23/72 M ,  B01J 23/745 M ,  B01J 23/75 M ,  B01J 23/755 M ,  C01G 23/053
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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