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J-GLOBAL ID：202003003646275744

ダイヤモンド膜等を形成するためのデバイスおよびその形成方法

Inventor： 豊田 洋通 ,  野村 信福 ,  島田 利之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人愛媛大学 ,  株式会社Growth
Agent (3)： 山尾 憲人 ,  江間 晴彦 ,  高岡 健
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2018047886
Publication number (International publication number)：WO2019131777
Application date： Dec. 26, 2018
Publication date： Jul. 04, 2019
Summary：

本発明の一実施形態では、基材の表面上に少なくともダイヤモンド膜を形成するためのデバイスであって、原料液を保持しかつ該原料液中に基材を設置するための容器と、正電極および負電極を備え、かつ前記原料液中にてプラズマを発生させるための電極部と、前記電極部にそれぞれ接続された原料ガス供給部およびキャリアガス供給部と、前記電極部に電圧を印加するための電源とを有して成り、前記電源が直流電源であり、および前記電極部が付加部材を更に備え、該付加部材が該電極部の前記プラズマの発生領域に位置する電極に取り付けられている、デバイスが提供される。

Claim (excerpt)：

基材の表面上に少なくともダイヤモンド膜を形成するためのデバイスであって、 原料液を保持しかつ該原料液中に基材を設置するための容器と、 正電極および負電極を備え、かつ前記原料液中にてプラズマを発生させるための電極部と、 前記電極部にそれぞれ接続された原料ガス供給部およびキャリアガス供給部と、 前記電極部に電圧を印加するための電源と を有して成り、 前記電源が直流電源であり、および 前記電極部が付加部材を更に備え、該付加部材が該電極部の前記プラズマの発生領域に位置する電極に取り付けられている、デバイス。

IPC (4)：

C01B 32/26 ,  C01B 32/158 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/50

FI (4)：

C01B32/26 ,  C01B32/158 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50

F-Term (31)：

4G146AA04 ,  4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AC16B ,  4G146BA11 ,  4G146BB02 ,  4G146BB09 ,  4G146BB23 ,  4G146BC17 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA17 ,  4G146DA25 ,  4G146DA35 ,  4G146DA40 ,  4G146DA48 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030CA03 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030HA14