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J-GLOBAL ID：202003004551512796

ギャップ制御方法及び電気特性測定方法

Inventor： 宮下 守也 ,  前田 貴弘 ,  久保田 弘 ,  鈴木 裕巳 ,  橋新 剛 ,  小林 一博 ,  葛川 翔太郎 ,  松山 浩輝 ,  熊谷 祐希 ,  古田 正昭
Applicant, Patent owner： グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 ,  国立大学法人 熊本大学
Agent (2)： 木下 茂 ,  澤田 優子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019056967
Publication number (International publication number)：2020161557
Application date： Mar. 25, 2019
Publication date： Oct. 01, 2020
Summary：

【課題】プローブ電極と試料表面間のギャップ幅を正しく計測し、それにより試料の電気特性の測定精度を向上する。【解決手段】パルス光伝導法によるプローブ電極から試料への印加電圧V(t)と、前記試料の充電電圧v(t)と、の充電電圧比v(t)/V(t)を実測する工程と、電極全体と試料表面間の傾きθを考慮したギャップ幅Wに対する充電電圧比v(t)/V(t)の理想曲線を求める工程と、前記充電電圧比v(t)/V(t)の実測値と理想曲線とが一致する傾きθを特定する工程と、前記傾きθを考慮したギャップ容量Cgapを求める工程と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

誘電体膜が形成された半導体の試料に対し所定のギャップ幅を空けてプローブ電極を配置する工程と、 パルス光伝導法による前記プローブ電極から前記試料への印加電圧V(t)と、前記試料の充電電圧v(t)と、の充電電圧比v(t)/V(t)を実測する工程と、 電極全体と試料表面間の傾きθを考慮したギャップ幅Wに対する充電電圧比v(t)/V(t)の理想曲線を求める工程と、 前記充電電圧比v(t)/V(t)の実測値と理想曲線とが一致する傾きθを特定する工程と、 前記傾きθを考慮したギャップ容量Cgapを求める工程と、を備え、 電極の直径をΦ、電極先端面を径方向にk個(kは2以上の整数)に等分割し、電極全表面積に占める領域の割合をαkとしたとき、電極全体と試料表面間の傾きθを考慮したギャップ幅Wkは、下記式により求められ、

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 27/26

FI (3)：

H01L21/66 Q ,  H01L21/66 L ,  G01R27/26 C

F-Term (16)：

2G028AA01 ,  2G028BB11 ,  2G028BC01 ,  2G028CG07 ,  2G028DH06 ,  2G028FK01 ,  2G028FK09 ,  2G028HN14 ,  4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106BA04 ,  4M106BA07 ,  4M106BA20 ,  4M106CB10 ,  4M106DH04 ,  4M106DH31