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J-GLOBAL ID:202003008154896257
SnO2系ガスセンサ
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
塩入 明
, 塩入 みか
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2016164568
Publication number (International publication number):2018031696
Patent number:6687931
Application date: Aug. 25, 2016
Publication date: Mar. 01, 2018
Claim (excerpt):
【請求項1】 SnO2とヒータと電極とを備えるガスセンサにおいて、
SnO2表面のSn原子の一部がZr原子により置換され、あるいはSnO2粒子表面の酸素欠陥がZr原子と結合した酸素で置換され、
SnO2での、Zr原子とSn原子の合計に対する、Zr原子の濃度が0.01at%以上0.2at%以下であることを特徴とする、SnO2系ガスセンサ。
IPC (1):
FI (2):
G01N 27/12 C
, G01N 27/12 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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特開昭51-033696
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特開昭59-026043
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金属酸化物半導体ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-255541
Applicant:ウチヤ・サーモスタット株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-323939
Applicant:新コスモス電機株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-312840
Applicant:富士電機機器制御株式会社
-
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-184535
Applicant:大阪瓦斯株式会社, 富士電機ホールディングス株式会社
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ガスの検知方法及びガス検知装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-182168
Applicant:新コスモス電機株式会社
-
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Application number:特願平10-213039
Applicant:ビージーピーエルシー
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