Pat
J-GLOBAL ID:202003008154896257

SnO2系ガスセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 塩入 明 ,  塩入 みか
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2016164568
Publication number (International publication number):2018031696
Patent number:6687931
Application date: Aug. 25, 2016
Publication date: Mar. 01, 2018
Claim (excerpt):
【請求項1】 SnO2とヒータと電極とを備えるガスセンサにおいて、 SnO2表面のSn原子の一部がZr原子により置換され、あるいはSnO2粒子表面の酸素欠陥がZr原子と結合した酸素で置換され、 SnO2での、Zr原子とSn原子の合計に対する、Zr原子の濃度が0.01at%以上0.2at%以下であることを特徴とする、SnO2系ガスセンサ。
IPC (1):
G01N 27/12 ( 200 6.01)
FI (2):
G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B

Return to Previous Page