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J-GLOBAL ID：202003011177577567

固体のスピン特性からトポロジカル絶縁性を評価する方法及び装置

Inventor： 長谷 宗明 ,  マンダル リチャジ ,  粟飯原 有輝 ,  齊藤 雄太 ,  富永 淳二
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 筑波大学
Agent (1)： 光田 敦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018537039
Patent number：6782026
Application date： Jul. 28, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 励起光としてフェムト秒レーザーパルスを、λ/4波長板を回転させることで偏光状態を変化させトポロジカル絶縁体の固体試料である固体表面に照射し、固体表面に、逆ファラデー効果及び逆コットン・ムートン効果の両方又は一方を誘起せしめ、 該効果に基づいて生じるλ/4波長板回転角依存性を計測することにより、トポロジカル絶縁体等における固体表面に局在するスピン状態の評価と表面バンド状態の評価を行い、トポロジカル絶縁性を評価することを特徴とする固体のスピン特性からトポロジカル絶縁性を評価する方法。

IPC (2)：

G01N 21/21 ( 200 6.01) ,  G01R 15/24 ( 200 6.01)

FI (2)：

G01N 21/21 Z ,  G01R 15/24 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 光伝導素子、テラヘルツ波発生装置、テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波発生方法およびテラヘルツ波検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-247837   Applicant：公立大学法人大阪府立大学
• 遷移金属又は希土類金属を固溶する透明強磁性アルカリ・カルコゲナイド化合物及びその強磁性特性の調整方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-127602   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 物質の光応答を測定する方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-014142   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• Control over topological insulator photocurrents with light polarization
• Crossover of the three-dimensional topological insulator Bi2Se3 to the two-dimensional limit
• Terahertz spectroscopy on Faraday and Kerr rotations in a quantum anomalous Hall state
• Identification of trivial and nontrivial insulators: Enhanced lateral shift in topological insulator
• Carrier density dependence of the magnetic properties in iron-doped Bi2Se3 topological insulator
• Quantized Faraday and Kerr rotation and axion electrodynamics of a 3D topological insulator